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第83章 大丰收（第3页）

略微感慨的笑了笑，不过等他看到第二个奖励时，有些懵了。

首先。

3D-NAND是什么？

莫燃也没着急，随即退出系统在网络上搜索了一下。

原来。

3D-NAND是一种新兴的闪存类型（存储类型）。

传统的内存卡大多是使用2D-NAND的方式，也就是通过2D平面的方式将内存颗粒有序排列，最终制造生产成为一张张比如2GB、4GB、8GB的内存卡。

2D平面结构的设计导致空间比较小，内存卡的储存容量也就相应比较小，经过这么多年研发后2D-NAND方案已经基本达到了扩展极限。

而3D-NAND则不同了。

简单的说。

3D-NAND是一种全新的闪存设计理念，将以前的2D平面设计变成3D设计，从而可以在平面上不断的增加层数、增加内存晶片的数量，从而制造出更大容量的内存卡。

就好比以前的2D是一栋栋小平房，

现在的3D则是在小平房上盖起三四十楼的高楼大厦一样，储存的容量加大，读写速度加快、耐用性大幅度提高，甚至，每千兆字节的成本也大幅下降。

最令莫燃惊喜的是，

放眼全球，

“3D-NAND”闪存设计也就仅仅只有三星电子、英特尔和全球最大的半导体储存制造商——镁光有一点点成果！

而国内！

“3D-NAND”新一代闪存芯片完全是一片空白！

可以说，

如果第一个奖励是让尼采公司可以利用生产图纸生产一款“U3高速读写的TF卡”。

那么，第二个奖励，

无疑是让尼采获得了全球最新“3D-NAND”闪存下的“g架构专利技术”。

接下来，尼采完全可以组建研发团队，利用“g架构”大力研发出更多3D-NAND的新兴储存产品！

比如TF内存卡、比如U盘，比如固态硬盘！

甚至。

完全可能成为镁光、三星、西部数码这些大型国际厂商的竞争对手，弥补国产厂家在内存卡、固态硬盘上长期的空白！

这是拿到了内存芯片行业的入场券了呀。

莫燃重重地呼出一口气，再次看了看这次抽到的三个技术。

BTC操作系统，

U3高速读写TF内存卡，

3D-NAND——g架构专利技术！

片刻后，

他将“U3高速读写TF内存卡生产图纸”和“3D-NAND——g架构专利技术”下载下来，心里已经有了大概的思路。

实际上。